M5111-13/UM型低压扩散炉设备

概要信息:

扩散炉是半导体生产线前道工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。
低压扩散炉在太阳能行业主流磷扩散、硼扩散工艺，其中磷扩散设备用于P型晶体硅PERC工艺中PN结的制备，硼扩散设备用于N型晶体硅TOPCON工艺中PN结的制备。

基本信息

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产品描述

设备概述：

扩散炉是半导体生产线前道工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。

低压扩散炉在太阳能行业主流磷扩散、硼扩散工艺，其中磷扩散设备用于P型晶体硅PERC工艺中PN结的制备，硼扩散设备用于N型晶体硅TOPCON工艺中PN结的制备。

产品的主要特点及优势：

硅片尺寸可兼容至230mm;
采用优质的控温方式，确保工艺区温度的均匀性与稳定性;
炉体具备极冷极热性能，产能及工艺效果更优；
法兰密封系统，采用双层水冷密封结构，气密性好，密封圈使用寿命更长；
具备现有PERC工艺能力，兼容TOPCON升级空间。

主要技术参数

工艺种类	磷扩散	恒温区长度及精度	≤±0.5℃/2500MM(800℃ - 1100℃)
可选管数	5管/台、6管/台、10管/台、12管/台	恒温区长度及精度	≤±1℃/2500MM(600℃ - 799℃)
石英管内径	≥420MM	温度速率	最大升温速率为20℃/MIN 最大降温速率为8 - 9℃/MIN(快速冷却功能）
典型装片量	182硅片：2640片/管、2200片/管、（顺气流） 210硅片：2000片/管、1800片/管、（顺气流）	方阻均匀性	片内≤5%、片间≤4%、批间≤4%（75 - -150Ω/SQ)
典型装片量	182硅片：1600片/管（常规方形） 210硅片：1600片/管（常规方形）	方阻均匀性	片内≤6%、片间≤5%、批间≤4%（150 - 180Ω/SQ)
温度控制范围	600℃ - 1500℃	工作压力	50-1000mBar（环闭控制）

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