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M5111-13/UM型低压氧化退火炉设备
基本信息
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设备概述：
氧化/退火炉是半导体生产线前道工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的氧化、退火、合金及烧结等工艺。 低压氧化/退火炉在太阳能行业晶体硅的氧化、退火工艺。
产品的主要特点及优势：
- 硅片尺寸可兼容至230mm;
- 采用优质的控温方式，确保工艺区温度的均匀性与稳定性;
- 炉体具备极冷极热性能，产能及工艺效果更优；
- 法兰密封系统，采用双层水冷密封结构，气密性好，密封圈使用寿命更长；
- 具备现有PERC工艺能力，兼容TOPCON升级空间。
主要技术参数
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工艺种类 |
氧化、退火 |
恒温区长度 |
≤±0.5℃/2200MM(800℃ - 1100℃) |
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可选管数 |
5管/台、6管/台、10管/台、12管/台 |
≤±1℃/2200MM(600℃ - 799℃) |
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石英管内径 |
≥420MM |
温度速率 |
最大升温速率为20℃/MIN |
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典型装片量 |
182硅片：2640片/管、2200片/管（顺气流） |
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182硅片：1600片/管（常规方形） |
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温度控制范围 |
600℃ - 1100℃ |
工作压力 |
50-1000mBar（环闭控制） |
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